规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(48)
分立半导体产品
(48)
筛选品牌
Infineon Technologies (46)
ON Semiconductor (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),192A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF8301MTRPBF
仓库库存编号:
IRF8301MTRPBFCT-ND
别名:IRF8301MTRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号:
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名:BSB014N04LX3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619
仓库库存编号:
IRF6619CT-ND
别名:IRF6619CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6619TR1PBFCT-ND
别名:IRF6619TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB015N04NX3 G
仓库库存编号:
BSB015N04NX3 GCT-ND
别名:BSB015N04NX3 GCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 46A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号:
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名:SP000880866
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 26.7A(Ta),151A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) 4-ICEPAK - E1 PAD(6.3x4.9)
型号:
NTMKE4891NT1G
仓库库存编号:
NTMKE4891NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),148A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) 4-ICEPAK - E1 PAD(6.3x4.9)
型号:
NTMKE4892NT1G
仓库库存编号:
NTMKE4892NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618
仓库库存编号:
IRF6618CT-ND
别名:*IRF6618
IRF6618CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
64-9145
仓库库存编号:
64-9145CT-ND
别名:*IRF6620
IRF6620CT
IRF6620CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),136A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6612TR1
仓库库存编号:
IRF6612TR1CT-ND
别名:*IRF6612
IRF6612CT
IRF6612CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
64-9146
仓库库存编号:
64-9146CT-ND
别名:*IRF6691
IRF6691CT
IRF6691CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6613TR1
仓库库存编号:
IRF6613TR1CT-ND
别名:*IRF6613TR1
IRF6613TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6635TR1
仓库库存编号:
IRF6635TR1CT-ND
别名:IRF6635TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6616TR1
仓库库存编号:
IRF6616TR1CT-ND
别名:IRF6616TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12A(Ta),68A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6646TR1
仓库库存编号:
IRF6646TR1CT-ND
别名:IRF6646TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 86A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6648TR1
仓库库存编号:
IRF6648CT-ND
别名:IRF6648CT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),136A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6612TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6612TR1PBFCT-ND
别名:IRF6612TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6613TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6613TR1PBFCT-ND
别名:IRF6613TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6618TR1PBFCT-ND
别名:IRF6618TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6620TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6620TR1PBFCT-ND
别名:IRF6620TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6635TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6635TR1PBFCT-ND
别名:IRF6635TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),140A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6638TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6638TR1PBFCT-ND
别名:IRF6638TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名:IRF6644TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),89W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号