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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF27P06
仓库库存编号：
FQPF27P06FS-ND
别名：FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号：
IRFI4410ZPBF-ND
别名：SP001566742
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 70A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN5R4-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2499-1-ND
别名：1727-2499-1
568-12931-1
568-12931-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN017-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7128-1-ND
别名：1727-7128-1
568-9504-1
568-9504-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 32A（Tc） 47W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN017-30EL,127
仓库库存编号：
1727-7129-ND
别名：1727-7129
568-9505-5
568-9505-5-ND
934066819127
PSMN01730EL127
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 47W（Tc） DP
型号：
TK50P03M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK50P03M1(T6RSSQ)CT-ND
别名：TK50P03M1(T6RSSQ)CT
TK50P03M1T6RSSQ
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R650CE
仓库库存编号：
IPD50R650CECT-ND
别名：IPD50R650CECT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R1-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1818-1-ND
别名：1727-1818-1
568-11434-1
568-11434-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号：
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90C
仓库库存编号：
FQPF4N90C-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90CT
仓库库存编号：
FQPF4N90CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB080N03L G
仓库库存编号：
IPB080N03L GCT-ND
别名：IPB080N03L GCT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1817-1-ND
别名：1727-1817-1
568-11433-1
568-11433-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 48A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 47W（Tc） TO-252
型号：
DKI03038
仓库库存编号：
DKI03038CT-ND
别名：DKI03038CT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 48A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 47W（Tc） TO-252
型号：
DKI04046
仓库库存编号：
DKI04046CT-ND
别名：DKI04046CT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 28A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 47W（Tc） TO-252
型号：
DKI10299
仓库库存编号：
DKI10299CT-ND
别名：DKI10299CT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 60V 47A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 47W（Tc） TO-252
型号：
DKI06108
仓库库存编号：
DKI06108CT-ND
别名：DKI06108CT
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 47W（Tc） DPAK
型号：
NVD5805NT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5805NT4G-VF01-ND
别名：NVD5117PLT4G-VF01
NVD5805NT4G
NVD5805NT4G-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 47W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC2D8N025S
仓库库存编号：
FDMC2D8N025S-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO-257
详细描述：通孔 650V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
型号：
2N7635-GA
仓库库存编号：
1242-1146-ND
别名：1242-1146
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名：SP001063642
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名：SP000249747
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU3714TR
仓库库存编号：
IRLU3714TR-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 60V 31A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF50N06
仓库库存编号：
FQPF50N06-ND
规格：功率耗散（最大值） 47W（Tc）,
无铅
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