品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(37)
分立半导体产品
(37)
筛选品牌
Infineon Technologies (37)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFI4410ZPBF-ND
别名:SP001566742
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名:IPD15N06S2L64ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2203N
仓库库存编号:
IRLI2203N-ND
别名:*IRLI2203N
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714
仓库库存编号:
IRLR3714-ND
别名:*IRLR3714
SP001558928
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714
仓库库存编号:
IRLU3714-ND
别名:*IRLU3714
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714S
仓库库存编号:
IRL3714S-ND
别名:*IRL3714S
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714L
仓库库存编号:
IRL3714L-ND
别名:*IRL3714L
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STR
仓库库存编号:
IRL3714STR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRL
仓库库存编号:
IRL3714STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRR
仓库库存编号:
IRL3714STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714TR
仓库库存编号:
IRL3714TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRL
仓库库存编号:
IRLR3714TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRR
仓库库存编号:
IRLR3714TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714PBF
仓库库存编号:
IRL3714PBF-ND
别名:*IRL3714PBF
SP001568444
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714LPBF
仓库库存编号:
IRL3714LPBF-ND
别名:*IRL3714LPBF
SP001578578
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714SPBF
仓库库存编号:
IRL3714SPBF-ND
别名:*IRL3714SPBF
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2203NPBF
仓库库存编号:
IRLI2203NPBF-ND
别名:*IRLI2203NPBF
SP001558790
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714PBF
仓库库存编号:
IRLU3714PBF-ND
别名:*IRLU3714PBF
SP001574190
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3714PBFCT-ND
别名:*IRLR3714TRPBF
IRLR3714PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号