规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32.6A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF50N06L
仓库库存编号:
FQPF50N06L-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90
仓库库存编号:
FQPF4N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N80
仓库库存编号:
FQPF5N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Tc) 47W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF620B_FP001
仓库库存编号:
IRF620B_FP001-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) 47W(Tc) DPAK
型号:
NTD5805NT4G
仓库库存编号:
NTD5805NT4GOSCT-ND
别名:NTD5805NT4GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 47W(Tc) DP
型号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2203N
仓库库存编号:
IRLI2203N-ND
别名:*IRLI2203N
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714
仓库库存编号:
IRLR3714-ND
别名:*IRLR3714
SP001558928
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714
仓库库存编号:
IRLU3714-ND
别名:*IRLU3714
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714S
仓库库存编号:
IRL3714S-ND
别名:*IRL3714S
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714L
仓库库存编号:
IRL3714L-ND
别名:*IRL3714L
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STR
仓库库存编号:
IRL3714STR-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRL
仓库库存编号:
IRL3714STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRR
仓库库存编号:
IRL3714STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714TR
仓库库存编号:
IRL3714TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRL
仓库库存编号:
IRLR3714TRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRR
仓库库存编号:
IRLR3714TRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714PBF
仓库库存编号:
IRL3714PBF-ND
别名:*IRL3714PBF
SP001568444
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714LPBF
仓库库存编号:
IRL3714LPBF-ND
别名:*IRL3714LPBF
SP001578578
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714SPBF
仓库库存编号:
IRL3714SPBF-ND
别名:*IRL3714SPBF
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2203NPBF
仓库库存编号:
IRLI2203NPBF-ND
别名:*IRLI2203NPBF
SP001558790
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714PBF
仓库库存编号:
IRLU3714PBF-ND
别名:*IRLU3714PBF
SP001574190
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3714PBFCT-ND
别名:*IRLR3714TRPBF
IRLR3714PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD640N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD640N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD640N06LGINCT
IPD640N06LGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
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