规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(61)
分立半导体产品
(61)
筛选品牌
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (37)
Nexperia USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
ON Semiconductor (2)
Sanken (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD800N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD800N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD800N06NG
IPD800N06NGINCT
IPD800N06NGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3714STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3714STRLPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名:IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名:IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP080N03L G
仓库库存编号:
IPP080N03L G-ND
别名:SP000264166
SP000680836
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名:IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU075N03L G
仓库库存编号:
IPU075N03L G-ND
别名:SP000271467
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4410ZGPBF
仓库库存编号:
IRFI4410ZGPBF-ND
别名:SP001572644
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
规格:功率耗散(最大值) 47W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号