以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75545S3ST
  仓库库存编号：HUF75545S3STCT-ND
  别名：HUF75545S3STCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R8-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4388-ND
  别名：1727-4388
  568-5234
  568-5234-5
  568-5234-5-ND
  568-5234-ND
  934064002127
  PSMN1R830PL127
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK39N60W5S1VF-ND
  别名：TK39N60W5,S1VF(S
  TK39N60W5S1VF
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60X,S1F
  仓库库存编号：TK39N60XS1F-ND
  别名：TK39N60X,S1F(S
  TK39N60XS1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60W5S1VQ-ND
  别名：TK39J60W5,S1VQ(O
  TK39J60W5S1VQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN5R0-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7124-1-ND
  别名：1727-7124-1
  568-9494-1
  568-9494-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN5R0-80PS,127
  仓库库存编号：1727-4263-ND
  别名：1727-4263
  568-4894-5
  568-4894-5-ND
  934063912127
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50F
  仓库库存编号：FDA24N50F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50
  仓库库存编号：FDA24N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W,S1F
  仓库库存编号：TK35N65WS1F-ND
  别名：TK35N65W,S1F(S
  TK35N65W,S1F-ND
  TK35N65WS1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK39N60WS1VF-ND
  别名：TK39N60W,S1VF(S
  TK39N60WS1VF
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75545P3
  仓库库存编号：HUF75545P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK39J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK39J60WS1VQ-ND
  别名：TK39J60W,S1VQ(O
  TK39J60WS1VQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 270W（Tc） HiP247?
  
  型号：SCT30N120
  仓库库存编号：497-14960-ND
  别名：497-14960
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R8-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7112-1-ND
  别名：1727-7112-1
  568-9482-1
  568-9482-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 110A（Tc） 270W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR140P10T
  仓库库存编号：IXTR140P10T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 179A（Tc） 270W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRLBA3803
  仓库库存编号：IRLBA3803-ND
  别名：*IRLBA3803
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75343P3
  仓库库存编号：HUF75343P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-262AA
  
  型号：HUF75343S3
  仓库库存编号：HUF75343S3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75343S3S
  仓库库存编号：HUF75343S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75343S3ST
  仓库库存编号：HUF75343S3ST-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：HUF75343G3
  仓库库存编号：HUF75343G3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75343P3
  仓库库存编号：HUFA75343P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75343S3S
  仓库库存编号：HUFA75343S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
• 搜索