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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75343S3ST
  仓库库存编号：HUFA75343S3ST-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75545S3S
  仓库库存编号：HUF75545S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-262AA
  
  型号：HUF75545S3
  仓库库存编号：HUF75545S3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75545S3S
  仓库库存编号：HUFA75545S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75545P3
  仓库库存编号：HUFA75545P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 270W（Tc） TO-247-3
  
  型号：HUFA75343G3
  仓库库存编号：HUFA75343G3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 179A（Tc） 270W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRLBA3803P
  仓库库存编号：IRLBA3803P-ND
  别名：*IRLBA3803P
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 115A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4215
  仓库库存编号：IRFB4215-ND
  别名：*IRFB4215
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 115A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4215PBF
  仓库库存编号：IRFB4215PBF-ND
  别名：*IRFB4215PBF
  SP001577800
  
  规格：功率耗散（最大值） 270W（Tc）,
• 无铅
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