规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6410ANT4G
仓库库存编号：
NTB6410ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6410ANT4GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19533KCS
仓库库存编号：
296-37482-5-ND
别名：296-37482-5
CSD19533KCS-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
库存产品核实请求
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPD038N06N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3-03
仓库库存编号：
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18503KCS
仓库库存编号：
296-34974-5-ND
别名：296-34974-5
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19503KCS
仓库库存编号：
296-37481-5-ND
别名：296-37481-5
CSD19503KCS-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP076N12N3 G
仓库库存编号：
IPP076N12N3 G-ND
别名：IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI040N06N3GXKSA1-ND
别名：SP000680656
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443_F085
仓库库存编号：
FDB8443_F085CT-ND
别名：FDB8443_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP8443_F085
仓库库存编号：
FDP8443_F085-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名：SP000680650
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），120A（Tc） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443
仓库库存编号：
FDB8443CT-ND
别名：FDB8443CT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名：IPB120N04S401ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名：IPB180N04S401ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP085N10A_F102
仓库库存编号：
FDP085N10A_F102-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB037N06N3 G
仓库库存编号：
IPB037N06N3 GCT-ND
别名：IPB037N06N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB029N06N3 G
仓库库存编号：
IPB029N06N3 GCT-ND
别名：IPB029N06N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL225N6F7AG
仓库库存编号：
497-17551-1-ND
别名：497-17551-1
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL285N4F7AG
仓库库存编号：
STL285N4F7AG-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6410ANG
仓库库存编号：
NTP6410ANG-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
型号：
NVB6410ANT4G
仓库库存编号：
NVB6410ANT4G-ND
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N03S4L01ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
规格：功率耗散（最大值） 188W（Tc）,
无铅
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