规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S303AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-03
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4L01ATMA1-ND
别名:SP000979928
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 250A(Tc) 188W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPLU250N04S41R7XTMA1
仓库库存编号:
IPLU250N04S41R7XTMA1-ND
别名:SP001121552
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名:SP001028776
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028778
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名:SP001602186
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 20A(Ta),80A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8443
仓库库存编号:
FDP8443-ND
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 96A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP085N10A
仓库库存编号:
FDP085N10A-ND
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04-ND
别名:SP000013901
SPB80N03S2L04T
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04 G-ND
别名:SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-04-ND
别名:SP000013903
SPI80N03S2L04X
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L04AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L04AKSA1-ND
别名:SPP80N03S2L-04
SPP80N03S2L-04-ND
SPP80N03S2L04X
SPP80N03S2L04XK
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB085N06L G
仓库库存编号:
IPB085N06LGINCT-ND
别名:IPB085N06LG
IPB085N06LGINCT
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3 G
仓库库存编号:
IPI032N06N3 G-ND
别名:SP000451490
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-ND
SP000398038
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028774
规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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