规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS4030TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS4030TRLPBFCT-ND
别名:IRLS4030TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3107TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3107TRLCT-ND
别名:AUIRFS3107TRLCT
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3107TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3107TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3107TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3077PBF
仓库库存编号:
IRFB3077PBF-ND
别名:64-0091PBF
64-0091PBF-ND
SP001575594
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4110PBF
仓库库存编号:
IRFP4110PBF-ND
别名:AUXUSFP4110
AUXUSFP4110-ND
SP001556724
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4110PBF
仓库库存编号:
IRFB4110PBF-ND
别名:64-0076PBF
64-0076PBF-ND
SP001570598
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB4030PBF
仓库库存编号:
IRLB4030PBF-ND
别名:SP001552594
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP23N50LPBF
仓库库存编号:
IRFP23N50LPBF-ND
别名:*IRFP23N50LPBF
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS4030TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS4030TRL7PPCT-ND
别名:IRLS4030TRL7PPCT
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4110GPBF
仓库库存编号:
IRFB4110GPBF-ND
别名:SP001556050
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL4030PBF
仓库库存编号:
IRLSL4030PBF-ND
别名:SP001558626
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP22N60KPBF
仓库库存编号:
IRFP22N60KPBF-ND
别名:*IRFP22N60KPBF
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVRG
仓库库存编号:
APT20M38SVRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS3107TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS3107TRL7PPCT-ND
别名:IRFS3107TRL7PPCT
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVRG
仓库库存编号:
APT30M70BVRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVRG
仓库库存编号:
APT20M38BVRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVFRG
仓库库存编号:
APT30M70BVFRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS4030TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030TRL-ND
别名:SP001520410
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7TRL-ND
别名:SP001520400
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4110
仓库库存编号:
AUIRFP4110-ND
别名:SP001517386
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP23N50L
仓库库存编号:
IRFP23N50L-ND
别名:*IRFP23N50L
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVFRG
仓库库存编号:
APT20M38BVFRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVFRG
仓库库存编号:
APT20M38SVFRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT30M70SVRG
仓库库存编号:
APT30M70SVRG-ND
规格:功率耗散(最大值) 370W(Tc),
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