规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4120NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4120NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4120NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4121NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4121NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4121NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.1A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4122NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4122NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4122NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.6A(Ta) 900mW(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3360-TL-H
仓库库存编号:
CPH3360-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 250V 1A(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
型号:
2SK4093TZ-E
仓库库存编号:
2SK4093TZ-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 100mA(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
型号:
RJK6011DJE-00#Z0
仓库库存编号:
RJK6011DJE-00#Z0-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 900mW(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3333A-TL-H
仓库库存编号:
MCH3333A-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 700mA(Ta) 900mW(Ta) 3-DFN(1.0 x 0.60)
型号:
AON1605_001
仓库库存编号:
AON1605_001-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 700mA(Ta) 900mW(Ta) 3-DFN(1.0 x 0.60)
型号:
AON1606_001
仓库库存编号:
AON1606_001-ND
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, PLANAR,
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 500mA(Tc) 900mW(Ta) 8-SOP
型号:
TSM1N45DCS RLG
仓库库存编号:
TSM1N45DCS RLGTR-ND
别名:TSM1N45DCS RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, PLANAR,
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 500mA(Tc) 900mW(Ta) 8-SOP
型号:
TSM1N45DCS RLG
仓库库存编号:
TSM1N45DCS RLGCT-ND
别名:TSM1N45DCS RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, PLANAR,
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 500mA(Tc) 900mW(Ta) 8-SOP
型号:
TSM1N45DCS RLG
仓库库存编号:
TSM1N45DCS RLGDKR-ND
别名:TSM1N45DCS RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGTR-ND
别名:TSM2301CX RFGTR
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGCT-ND
别名:TSM2301CX RFGCT
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.8A(Tc) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301CX RFG
仓库库存编号:
TSM2301CX RFGDKR-ND
别名:TSM2301CX RFGDKR
规格:功率耗散(最大值) 900mW(Ta),
无铅
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