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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP140PBF
  仓库库存编号：IRFP140PBF-ND
  别名：*IRFP140PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH8P50
  仓库库存编号：IXTH8P50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100
  仓库库存编号：IXFH6N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH7P50
  仓库库存编号：IXTH7P50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2203NPBF
  仓库库存编号：IRL2203NPBF-ND
  别名：*IRL2203NPBF
  SP001573688
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP15N60E-E3-ND
  别名：SIHP15N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB15N60E-GE3-ND
  别名：SIHB15N60EGE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50APBF
  仓库库存编号：IRFPC50APBF-ND
  别名：*IRFPC50APBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP15N60E-GE3-ND
  别名：SIHP15N60E-GE3TR
  SIHP15N60E-GE3TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG15N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E80W,S1X
  仓库库存编号：TK17E80WS1X-ND
  别名：TK17E80W,S1X(S
  TK17E80WS1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：TK25N60X,S1F
  仓库库存编号：TK25N60XS1F-ND
  别名：TK25N60X,S1F(S
  TK25N60XS1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH12N50F
  仓库库存编号：IXFH12N50F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT6N100F
  仓库库存编号：IXFT6N100F-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010NSTRLPBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 21A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9140PBF
  仓库库存编号：IRFP9140PBF-ND
  别名：*IRFP9140PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010NPBF
  仓库库存编号：IRF1010NPBF-ND
  别名：*IRF1010NPBF
  SP001563032
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP34N20
  仓库库存编号：FQP34N20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055T2
  仓库库存编号：IXTP110N055T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N075T2
  仓库库存编号：IXTA90N075T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50PBF
  仓库库存编号：IRFPC50PBF-ND
  别名：*IRFPC50PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA12N65X2
  仓库库存编号：IXTA12N65X2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X,S1X
  仓库库存编号：TK25E60XS1X-ND
  别名：TK25E60X,S1X(S
  TK25E60XS1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：TK25N60X5,S1F
  仓库库存编号：TK25N60X5S1F-ND
  别名：TK25N60X5,S1F(S
  TK25N60X5S1F
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK25E60X5,S1X
  仓库库存编号：TK25E60X5S1X-ND
  别名：TK25E60X5,S1X(S
  TK25E60X5S1X
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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