规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH6N100F
仓库库存编号:
IXFH6N100F-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25.5A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP27N25
仓库库存编号:
FQP27N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3ST
仓库库存编号:
HUF76639S3STFSCT-ND
别名:HUF76639S3STFSCT
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76439S3ST
仓库库存编号:
HUF76439S3STCT-ND
别名:HUF76439S3STCT
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76639S3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76639S3ST_F085CT-ND
别名:HUF76639S3ST_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
FQH44N10_F133
仓库库存编号:
FQH44N10_F133FS-ND
别名:FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N60P3
仓库库存编号:
IXFA7N60P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA110N055T2
仓库库存编号:
IXTA110N055T2-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80
仓库库存编号:
IXFH9N80-ND
别名:Q3837074
Q4932885
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N80
仓库库存编号:
IXFH7N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100Q
仓库库存编号:
IXFH6N100Q-ND
别名:478547
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-220
型号:
IXTP12N65X2
仓库库存编号:
IXTP12N65X2-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IXTH12N65X2
仓库库存编号:
IXTH12N65X2-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N60P3
仓库库存编号:
IXFP7N60P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP8N50P3
仓库库存编号:
IXFP8N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA8N50P3
仓库库存编号:
IXFA8N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP448PBF
仓库库存编号:
IRFP448PBF-ND
别名:*IRFP448PBF
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36P10
仓库库存编号:
IXTH36P10-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH8N80
仓库库存编号:
IXFH8N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXTT8P50
仓库库存编号:
IXTT8P50-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
IXFJ26N50P3
仓库库存编号:
IXFJ26N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90
仓库库存编号:
IXTH6N90-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80Q
仓库库存编号:
IXFH9N80Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
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MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH5N100A
仓库库存编号:
IXTH5N100A-ND
别名:Q917004
规格:功率耗散(最大值) 180W(Tc),
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