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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90A
  仓库库存编号：IXTH6N90A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N80A
  仓库库存编号：IXTH6N80A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT6N100Q
  仓库库存编号：IXFT6N100Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48N15
  仓库库存编号：IXTH48N15-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT9N80Q
  仓库库存编号：IXFT9N80Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 7A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT7N90Q
  仓库库存编号：IXFT7N90Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRL2203N
  仓库库存编号：AUIRL2203N-ND
  别名：SP001521374
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 33A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP250
  仓库库存编号：497-2639-5-ND
  别名：497-2639-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW60NE10
  仓库库存编号：497-2643-5-ND
  别名：497-2643-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE10
  仓库库存编号：497-2644-5-ND
  别名：497-2644-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 38A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW38NB20
  仓库库存编号：497-2658-5-ND
  别名：497-2658-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW34NB20
  仓库库存编号：497-2659-5-ND
  别名：497-2659-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB50NE10T4
  仓库库存编号：STB50NE10T4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 21A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9140
  仓库库存编号：IRFP9140-ND
  别名：*IRFP9140
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50
  仓库库存编号：IRFPC50-ND
  别名：*IRFPC50
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N50
  仓库库存编号：IXFH13N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP448
  仓库库存编号：IRFP448-ND
  别名：*IRFP448
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50A
  仓库库存编号：IRFPC50A-ND
  别名：*IRFPC50A
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20E
  仓库库存编号：MTW32N20EOS-ND
  别名：MTW32N20EOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP044PBF
  仓库库存编号：IRFP044PBF-ND
  别名：*IRFP044PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20EG
  仓库库存编号：MTW32N20EGOS-ND
  别名：MTW32N20EGOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 21.8A（Tc） 180W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA19N20C
  仓库库存编号：FQA19N20C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA44N10
  仓库库存编号：FQA44N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76439P3
  仓库库存编号：HUF76439P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 22A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75939P3
  仓库库存编号：HUF75939P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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