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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP34N20L
  仓库库存编号：FQP34N20L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76439S3S
  仓库库存编号：HUF76439S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3S
  仓库库存编号：HUF76639S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76639P3
  仓库库存编号：HUFA76639P3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76639S3S
  仓库库存编号：HUFA76639S3S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12N60
  仓库库存编号：FQP12N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH44N10
  仓库库存编号：FQH44N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76639S3ST
  仓库库存编号：HUFA76639S3ST-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 17.8A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA16N25C
  仓库库存编号：FQA16N25C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 50A（Tc） 180W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC110N25T
  仓库库存编号：IXTC110N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N075T2
  仓库库存编号：IXTP90N075T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：94-2304
  仓库库存编号：94-2304-ND
  别名：*IRL2203N
  IRL2203N
  IRL2203N-ND
  SP001521934
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-4796
  仓库库存编号：94-4796-ND
  别名：*IRF1010NS
  IRF1010NS
  IRF1010NS-ND
  SP001516322
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010NL
  仓库库存编号：IRF1010NL-ND
  别名：*IRF1010NL
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010NSTRL
  仓库库存编号：IRF1010NSTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010NSTRR
  仓库库存编号：IRF1010NSTRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010NLPBF
  仓库库存编号：IRF1010NLPBF-ND
  别名：*IRF1010NLPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 180W（Tc）,
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