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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFD
仓库库存编号：
IPW65R190CFD-ND
别名：IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190P6
仓库库存编号：
IPP60R190P6-ND
别名：IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190C6
仓库库存编号：
IPW60R190C6-ND
别名：IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190E6
仓库库存编号：
IPW60R190E6-ND
别名：IPW60R190E6FKSA1
SP000797384
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190E6XKSA1-ND
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名：IPL60R210P6AUMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190CFD
仓库库存编号：
IPB65R190CFDCT-ND
别名：IPB65R190CFDCT
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R190C6
仓库库存编号：
IPB60R190C6INCT-ND
别名：IPB60R190C6INCT
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190C6
仓库库存编号：
IPP60R190C6-ND
别名：IPP60R190C6XKSA1
SP000621158
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R190P6
仓库库存编号：
IPW60R190P6-ND
别名：IPW60R190P6FKSA1
SP001017090
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190C6XKSA1-ND
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名：IPB60R190P6ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R190E6
仓库库存编号：
IPP60R190E6-ND
别名：IPP60R190E6XKSA1
SP000797378
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名：SP001074938
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名：SP000928264
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名：SP000928266
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名：IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名：IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928268
规格：功率耗散（最大值） 151W（Tc）,
无铅
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