规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(54)
分立半导体产品
(54)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Infineon Technologies (14)
Microsemi Corporation (2)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
Vishay Siliconix (16)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 650V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12N65L
仓库库存编号:
785-1717-1-ND
别名:785-1717-1
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R099C6
仓库库存编号:
IPB60R099C6CT-ND
别名:IPB60R099C6CT
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N40D-GE3-ND
别名:SIHP25N40DGE3
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N60
仓库库存编号:
785-1192-5-ND
别名:785-1192-5
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N65
仓库库存编号:
AOT12N65-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-262
型号:
AOW12N60
仓库库存编号:
AOW12N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N60FD
仓库库存编号:
AOT12N60FD-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 278W(Tc) TO-262
型号:
AOW14N50
仓库库存编号:
AOW14N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-262
型号:
AOW12N65
仓库库存编号:
AOW12N65-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT14N50FD
仓库库存编号:
AOT14N50FD-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT16N50
仓库库存编号:
AOT16N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB14N50
仓库库存编号:
785-1178-1-ND
别名:785-1178-1
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB12N60FDL
仓库库存编号:
785-1617-1-ND
别名:785-1617-1
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60L
仓库库存编号:
AOT11C60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11C60L
仓库库存编号:
AOB11C60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP25N40D-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG460B-GE3
仓库库存编号:
SIHG460B-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET5-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG33N60E-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW33N60E-GE3-ND
别名:SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名:SP000989104
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989106
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989108
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 P 沟道 600V 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R099P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R099P6FKSA1-ND
别名:SP001313882
规格:功率耗散(最大值) 278W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号