规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK21N100
仓库库存编号:
IXTK21N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 22A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE24N100
仓库库存编号:
IXFE24N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 24A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N90Q
仓库库存编号:
IXFN24N90Q-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE23N100
仓库库存编号:
IXFE23N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 158A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N20
仓库库存编号:
IXFE180N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1100V 24A(Tc) 500W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F40N110P
仓库库存编号:
MMIX1F40N110P-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
STW220NF75
仓库库存编号:
497-4124-5-ND
别名:497-4124-5
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK44N50
仓库库存编号:
IXFK44N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 38A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
FA38SA50LC
仓库库存编号:
FA38SA50LC-ND
别名:*FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC-ND
VSFA38SA50LC
VSFA38SA50LC-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 110A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE110NS20FD
仓库库存编号:
497-2657-5-ND
别名:497-2657-5
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 220A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE250NS10
仓库库存编号:
497-3167-5-ND
别名:497-3167-5
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 28A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE30NK90Z
仓库库存编号:
497-4336-5-ND
别名:497-4336-5
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 75A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
HUFA75852G3
仓库库存编号:
HUFA75852G3-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV30N60P
仓库库存编号:
IXFV30N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV30N60PS
仓库库存编号:
IXFV30N60PS-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 112A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT20M19JVR
仓库库存编号:
APT20M19JVR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 50A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR66N50Q2
仓库库存编号:
IXFR66N50Q2-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 500W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV20N80PS
仓库库存编号:
IXFV20N80PS-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 500W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N120
仓库库存编号:
IXTH12N120-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 280V 62A(Tc) 500W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA62N28
仓库库存编号:
FDA62N28-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 280V 80A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ80N28T
仓库库存编号:
IXTQ80N28T-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 19A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT18M80S
仓库库存编号:
APT18M80S-ND
规格:功率耗散(最大值) 500W(Tc),
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