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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 300mA（Ta） 1W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVN4424ZTA
  仓库库存编号：ZVN4424ZCT-ND
  别名：ZVN4424ZCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS4151PT1
  仓库库存编号：NTJS4151PT1OSCT-ND
  别名：NTJS4151PT1OSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 1W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
  
  型号：ZXMNS3BM832TA
  仓库库存编号：ZXMNS3BM832CT-ND
  别名：ZXMNS3BM832CT
  ZXMNS3BM832TA-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1W（Ta） UPAK
  
  型号：2SK2315TYTR-E
  仓库库存编号：2SK2315TYTR-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3157NT2
  仓库库存编号：NTJS3157NT2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3157NT4
  仓库库存编号：NTJS3157NT4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4707NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4707NT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4707NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4707NT3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.8A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4708NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4708NT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.8A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4708NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4708NT3G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1410EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1410EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1410EDH-T1-E3CT
  SI1410EDHT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 420mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1411DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1411DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1411DH-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1413EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1413EDH-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1419DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1419DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1419DH-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1426DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1426DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1426DH-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-E3CT
  SI6459BDQT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF2955PT1G
  仓库库存编号：NTF2955PT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGD3147FT1G
  仓库库存编号：NTGD3147FT1G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8014(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8014(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8018-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8018-H(TE12LQM)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8021-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8022-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8110(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8110(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8111(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8111(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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