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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8113(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8113(TE12L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8115(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A02-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
  SI6459BDQT1GE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 500mA（Ta） 1W（Ta） 迷你型P3-F2
  
  型号：2SK0601G0L
  仓库库存编号：2SK0601G0LCT-ND
  别名：2SK0601G0LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23201W10
  仓库库存编号：296-24258-1-ND
  别名：296-24258-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8026(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8036-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8036-H(TE12L,QM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8042(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8042TE12LQMCT-ND
  别名：TPC8042TE12LQM
  TPC8042TE12LQMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8035-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8035-HTE12LQMCT-ND
  别名：TPC8035-HTE12LQMCT
  TPC8035HTE12LQM
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3348-TL-E
  仓库库存编号：869-1130-1-ND
  别名：869-1130-1
  CPH3348TLE
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.5A（Ta） 1W（Ta） UF6
  
  型号：SSM6J409TU(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J409TU(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J409TU(TE85LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1426DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1426DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1426DH-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1413DH-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1413DH-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3448-TL-H
  仓库库存编号：CPH3448-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 3A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35V 3A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3455-TL-H
  仓库库存编号：CPH3455-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3457-TL-H
  仓库库存编号：CPH3457-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.5A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3477-TL-E
  仓库库存编号：MCH3477-TL-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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  MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta） 1W（Ta） 6-SCH
  
  型号：SCH1331-TL-H
  仓库库存编号：SCH1331-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.5A（Ta） 1W（Ta） 6-SCH
  
  型号：SCH1439-TL-H
  仓库库存编号：SCH1439-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8125,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8125LQ(S-ND
  别名：TPC8125LQ(S
  TPC8125LQS
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8126,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8126LQ(CM-ND
  别名：TPC8126LQ(CM
  TPC8126LQCM
  
  规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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