规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A05-H(TE12L,QM
仓库库存编号:
TPC8A05-H(TE12LQM-ND
别名:TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3474-TL-E
仓库库存编号:
MCH3474-TL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
NVF2955PT1G
仓库库存编号:
NVF2955PT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1406DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1406DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1406DH-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3474-TL-H
仓库库存编号:
MCH3474-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 1W(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1343-TL-H
仓库库存编号:
SCH1343-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3486-TL-H
仓库库存编号:
MCH3486-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-H
仓库库存编号:
CPH3351-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-HOSCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3456-TL-H
仓库库存编号:
CPH3456-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3456-TL-HOSCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.5A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3484-TL-H
仓库库存编号:
MCH3484-TL-HOSCT-ND
别名:MCH3484-TL-HOSCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 350mA(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3461-TL-H
仓库库存编号:
CPH3461-TL-H-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TR
仓库库存编号:
IRFL4105CT-ND
别名:*IRFL4105TR
IRFL4105CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TR
仓库库存编号:
IRLL2705CT-ND
别名:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL3303TR
仓库库存编号:
IRLL3303CT-ND
别名:*IRLL3303TR
IRLL3303CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTR
仓库库存编号:
IRLL014NTR-ND
别名:SP001558818
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024N
仓库库存编号:
IRFL024N-ND
别名:*IRFL024N
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006
仓库库存编号:
IRFL1006-ND
别名:*IRFL1006
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024NTR
仓库库存编号:
IRFL024NTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006TR
仓库库存编号:
IRFL1006TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TR
仓库库存编号:
IRLL2703TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87E6327
仓库库存编号:
BSS87INCT-ND
别名:BSS87INCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PE6327
仓库库存编号:
BSS192PE6327INCT-ND
别名:BSS192PE6327INCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024Z
仓库库存编号:
IRFL024Z-ND
别名:*IRFL024Z
SP001551986
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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