规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024Z
仓库库存编号:
IRLL024Z-ND
别名:*IRLL024Z
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006PBF
仓库库存编号:
IRFL1006PBF-ND
别名:*IRFL1006PBF
SP001571088
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PE6327T
仓库库存编号:
BSS192PE6327XTINCT-ND
别名:BSS192PE6327XTINCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87E6327T
仓库库存编号:
BSS87XTINCT-ND
别名:BSS87XTINCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254,126
仓库库存编号:
BSN254,126-ND
别名:934004930126
BSN254 AMO
BSN254 AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254A,126
仓库库存编号:
BSN254A,126-ND
别名:934003960126
BSN254A AMO
BSN254A AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 300V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN304,126
仓库库存编号:
BSN304,126-ND
别名:934023530126
BSN304 AMO
BSN304 AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54
详细描述:通孔 P 沟道 250V 200mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSP254A,126
仓库库存编号:
BSP254A,126-ND
别名:933981790126
BSP254A AMO
BSP254A AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54
详细描述:通孔 P 沟道 300V 170mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSP304A,126
仓库库存编号:
BSP304A,126-ND
别名:934030880126
BSP304A AMO
BSP304A AMO-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225
仓库库存编号:
BSS225-ND
别名:BSS225T
SP000017502
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS87 E6433
仓库库存编号:
BSS87 E6433-ND
别名:BSS87E6433T
SP000082233
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS192PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS192PL6327
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS87L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS87L6327HTSA1CT-ND
别名:BSS87L6327
BSS87L6327INCT
BSS87L6327INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 1.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL014N
仓库库存编号:
AUIRFL014N-ND
别名:SP001520734
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL024N
仓库库存编号:
AUIRFL024N-ND
别名:SP001515986
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024N
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AUIRLL024N-ND
别名:SP001521354
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
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MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
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AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
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