规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(320)
分立半导体产品
(320)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Microchip Technology (9)
Diodes Incorporated (35)
Infineon Technologies (51)
NXP USA Inc. (7)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (64)
Panasonic Electronic Components (9)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (40)
Texas Instruments (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (59)
Vishay Siliconix (36)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL014NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL014NPBFCT-ND
别名:*IRFL014NTRPBF
IRFL014NPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名:IRFL4105TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL014NTR
仓库库存编号:
AUIRLL014NTRCT-ND
别名:AUIRLL014NTRCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Ta) 1W(Ta) PG-SOT223
型号:
AUIRLL2705TR
仓库库存编号:
AUIRLL2705TRCT-ND
别名:AUIRLL2705TRCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220PBF
仓库库存编号:
IRFD220PBF-ND
别名:*IRFD220PBF
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2450N3-G
仓库库存编号:
VN2450N3-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G
仓库库存编号:
VN2460N3-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TN2540N3-G
仓库库存编号:
TN2540N3-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 560mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9220PBF
仓库库存编号:
IRFD9220PBF-ND
别名:*IRFD9220PBF
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP0620N3-G
仓库库存编号:
TP0620N3-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 180mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP2635N3-G
仓库库存编号:
TP2635N3-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A SC96
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RQ5E040AJTCL
仓库库存编号:
RQ5E040AJTCLCT-ND
别名:RQ5E040AJTCLCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RQ5E035BNTCL
仓库库存编号:
RQ5E035BNTCLCT-ND
别名:RQ5E035BNTCLCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J356R,LF
仓库库存编号:
SSM3J356RLFCT-ND
别名:SSM3J356RLFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K336R,LF
仓库库存编号:
SSM3K336RLFCT-ND
别名:SSM3K336RLFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RTR025N05TL
仓库库存编号:
RTR025N05TLCT-ND
别名:RTR025N05TLCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1413EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1413EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1413EDH-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL025P01TR
仓库库存编号:
RZL025P01CT-ND
别名:RZL025P01CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 10A
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1W(Ta) UF6
型号:
SSM6K411TU(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6K411TU(TE85LFCT-ND
别名:SSM6K411TU(TE85LFCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RTL030P02TR
仓库库存编号:
RTL030P02CT-ND
别名:RTL030P02CT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.4A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN4008LFG-7
仓库库存编号:
DMN4008LFG-7DICT-ND
别名:DMN4008LFG-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8051-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8051-HTE12LQCT-ND
别名:TPC8051-HTE12LQCT
TPC8051HTE12LQ
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-W
仓库库存编号:
CPH3351-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-WOSCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A14FTA
仓库库存编号:
ZXMN3A14FCT-ND
别名:ZXMN3A14FCT
规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号