规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
型号：
RAL045P01TCR
仓库库存编号：
RAL045P01TCR-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
型号：
DMP3017SFK-13
仓库库存编号：
DMP3017SFK-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8134,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8134LQ(S-ND
别名：TPC8134LQ(S
TPC8134LQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8067-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8067-HLQ(S-ND
别名：TPC8067-HLQ(S
TPC8067HLQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP6023LFGQ-13
仓库库存编号：
DMP6023LFGQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP6023LFGQ-7
仓库库存编号：
DMP6023LFGQ-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8129,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8129LQ(S-ND
别名：TPC8129LQ(S
TPC8129LQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 33V 12A WMINI8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
型号：
FK8V03030L
仓库库存编号：
FK8V03030L-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8092,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8092LQ(S-ND
别名：TPC8092LQ(S
TPC8092LQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8132,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8132LQ(S-ND
别名：TPC8132LQ(S
TPC8132LQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN6013LFGQ-13
仓库库存编号：
DMN6013LFGQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMN6013LFGQ-7
仓库库存编号：
DMN6013LFGQ-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP4013LFGQ-13
仓库库存编号：
DMP4013LFGQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP4013LFGQ-7
仓库库存编号：
DMP4013LFGQ-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8066-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8066-HLQ(S-ND
别名：TPC8066-HLQ(S
TPC8066HLQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 33V 14A WMINI8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
型号：
FK8V03020L
仓库库存编号：
FK8V03020L-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
型号：
DMT10H015LCG-13
仓库库存编号：
DMT10H015LCG-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
型号：
DMT10H015LCG-7
仓库库存编号：
DMT10H015LCG-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8065-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8065-HLQ(S-ND
别名：TPC8065-HLQ(S
TPC8065HLQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8133,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8133LQ(S-ND
别名：TPC8133LQ(S
TPC8133LQS
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD214PBF
仓库库存编号：
IRFD214PBF-ND
别名：*IRFD214PBF
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD224PBF
仓库库存编号：
IRFD224PBF-ND
别名：*IRFD224PBF
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8062-H,LQ(CM
仓库库存编号：
TPC8062-HLQ(CM-ND
别名：TPC8062-HLQ(CM
TPC8062HLQCM
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
VN2460N3-G-P003
仓库库存编号：
VN2460N3-G-P003-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
VN2460N3-G-P014
仓库库存编号：
VN2460N3-G-P014-ND
规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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