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• Rohm Semiconductor
  1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 44W（Tc） TO-268
  
  型号：SCT2H12NYTB
  仓库库存编号：SCT2H12NYTBCT-ND
  别名：SCT2H12NYTBCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M42-60EX
  仓库库存编号：1727-2581-1-ND
  别名：1727-2581-1
  568-13025-1
  568-13025-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M33-60EX
  仓库库存编号：1727-7314-1-ND
  别名：1727-7314-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 49A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 44W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C668NLT4G
  仓库库存编号：NVD5C668NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C668NLT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF220N80
  仓库库存编号：FCPF220N80-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M24-40EX
  仓库库存编号：1727-2576-1-ND
  别名：1727-2576-1
  568-13020-1
  568-13020-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M120-100EX
  仓库库存编号：1727-2570-1-ND
  别名：1727-2570-1
  568-13014-1
  568-13014-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CF
  仓库库存编号：FQPF9N50CFFS-ND
  别名：FQPF9N50CF-ND
  FQPF9N50CFFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40C
  仓库库存编号：FQPF11N40CFS-ND
  别名：FQPF11N40C-ND
  FQPF11N40CFS
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M17-30EX
  仓库库存编号：1727-2573-1-ND
  别名：1727-2573-1
  568-13017-1
  568-13017-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M21-40EX
  仓库库存编号：1727-2559-1-ND
  别名：1727-2559-1
  568-13003-1
  568-13003-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N15
  仓库库存编号：FQPF9N15-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40CT
  仓库库存编号：FQPF11N40CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CT
  仓库库存编号：FQPF9N50CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50C
  仓库库存编号：FQPF9N50C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N60
  仓库库存编号：FQPF6N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9N50CYDTU
  仓库库存编号：FQPF9N50CYDTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2NB60CH C5G
  仓库库存编号：TSM2NB60CH C5G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB60CP ROGTR-ND
  别名：TSM2NB60CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB60CP ROGCT-ND
  别名：TSM2NB60CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB60CP ROGDKR-ND
  别名：TSM2NB60CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP50CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP50CN10N G
  IPP50CN10N G-ND
  IPP50CN10NGHKSA1
  IPP50CN10NGIN
  IPP50CN10NGIN-ND
  IPP50CN10NGX
  IPP50CN10NGXK
  SP000096474
  SP000680930
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB50CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB50CN10N G
  IPB50CN10N G-ND
  SP000277696
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD49CN10N G
  仓库库存编号：IPD49CN10N G-ND
  别名：SP000096459
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD64CN10N G
  仓库库存编号：IPD64CN10N G-ND
  别名：SP000104810
  
  规格：功率耗散（最大值） 44W（Tc）,
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