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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP90N20DPBF
  仓库库存编号：IRFP90N20DPBF-ND
  别名：*IRFP90N20DPBF
  SP001552070
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS3810PBF
  仓库库存编号：IRFPS3810PBF-ND
  别名：*IRFPS3810PBF
  SP001566934
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL39N90
  仓库库存编号：IXFL39N90-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE34N100
  仓库库存编号：IXFE34N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE80N50
  仓库库存编号：IXFE80N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE36N100
  仓库库存编号：IXFE36N100-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE39N90
  仓库库存编号：IXFE39N90-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS3810
  仓库库存编号：IRFPS3810-ND
  别名：*IRFPS3810
  Q1244033
  SP001560530
  
  规格：功率耗散（最大值） 580W（Tc）,
• 含铅
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