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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW17N80C3
  仓库库存编号：SPW17N80C3IN-ND
  别名：SP000013369
  SPW17N80C3FKSA1
  SPW17N80C3IN
  SPW17N80C3X
  SPW17N80C3XK
  SPW17N80C3XTIN
  SPW17N80C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R045C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R045C7ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R045C7ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW65R045C7FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R045C7FKSA1-ND
  别名：SP000929412
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R045C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R045C7XKSA1-ND
  别名：SP000929422
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247
  
  型号：IPZ65R045C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R045C7XKSA1-ND
  别名：SP001024004
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP22N60E-E3-ND
  别名：SIHP22N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG22N60E-E3-ND
  别名：SIHG22N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296204
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001277604
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 227W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP24N40
  仓库库存编号：FDP24N40-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N60EF-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-E3-ND
  别名：SIHB22N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG21N60EF-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N65E-GE3-ND
  别名：SIHP22N65E-GE3CT
  SIHP22N65E-GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc）
  
  型号：SIHP22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60E-GE3-ND
  别名：SIHP22N60E-GE3CT
  SIHP22N60E-GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG23N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP170N60
  仓库库存编号：FCP170N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP165N60E
  仓库库存编号：FCP165N60E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH170N60
  仓库库存编号：FCH170N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH165N60E
  仓库库存编号：FCH165N60E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB17N80C3
  仓库库存编号：SPB17N80C3INCT-ND
  别名：SPB17N80C3INCT
  SPB17N80C3XTINCT
  SPB17N80C3XTINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407_F085
  仓库库存编号：FDD9407_F085CT-ND
  别名：FDD9407_F085CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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