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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N15
  仓库库存编号：FQA28N15-ND
  别名：Q2458553
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-GE3-ND
  别名：SIHB22N60EGE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：SIHB21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB21N60EF-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N65E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP23N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB23N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60EL-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60EL-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET5-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60EL-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R040C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R040C7ATMA1-ND
  别名：SP001277610
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N15_F109
  仓库库存编号：FQA28N15_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW23N60E-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW17N80C3A
  仓库库存编号：SPW17N80C3A-ND
  别名：SP000101842
  SPW17N80C3AX
  SPW17N80C3AXK
  
  规格：功率耗散（最大值） 227W（Tc）,
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