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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.3A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2303CX RFG
  仓库库存编号：TSM2303CX RFGCT-ND
  别名：TSM2303CX RFGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.3A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2303CX RFG
  仓库库存编号：TSM2303CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2303CX RFGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J304T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3J304T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3J304T(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1A060ZPTR
  仓库库存编号：RQ1A060ZPTRCT-ND
  别名：RQ1A060ZPTRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6140LQ-7
  仓库库存编号：DMN6140LQ-7DICT-ND
  别名：DMN6140LQ-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP3068L-7
  仓库库存编号：DMP3068L-7DICT-ND
  别名：DMP3068L-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1E014SNT2R
  仓库库存编号：RW1E014SNT2RCT-ND
  别名：RW1E014SNT2RCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：ES6U1T2R
  仓库库存编号：ES6U1T2RCT-ND
  别名：ES6U1T2RCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG3413L-7
  仓库库存编号：DMG3413L-7DICT-ND
  别名：DMG3413L-7DICT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1C026ZPT2CR
  仓库库存编号：RW1C026ZPT2CRCT-ND
  别名：RW1C026ZPT2CRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1C065UNTR
  仓库库存编号：RQ1C065UNCT-ND
  别名：RQ1C065UNTRCT
  RQ1C065UNTRCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761100LBF
  仓库库存编号：MTM761100LBFCT-ND
  别名：MTM761100LBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：FJ6K01010L
  仓库库存编号：FJ6K01010LCT-ND
  别名：FJ6K01010LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K301T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K301T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K301T(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K310T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K310T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K310T(TE85LF)CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761110LBF
  仓库库存编号：MTM761110LBFCT-ND
  别名：MTM761110LBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A020ZPT2R
  仓库库存编号：RW1A020ZPT2RCT-ND
  别名：RW1A020ZPT2RCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS3A18PZTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A18PZTAGOSCT-ND
  别名：NTLUS3A18PZTAGOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1C075UNTR
  仓库库存编号：RQ1C075UNCT-ND
  别名：RQ1C075UNTRCT
  RQ1C075UNTRCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：ES6U3T2CR
  仓库库存编号：ES6U3T2CRCT-ND
  别名：ES6U3T2CRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6111(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6111(TE85LFM)CT-ND
  别名：TPC6111(TE85LFM)CT
  TPC6111TE85LFCT
  TPC6111TE85LFCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：FK6K02010L
  仓库库存编号：FK6K02010LCT-ND
  别名：FK6K02010LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2110A
  仓库库存编号：ZVP2110A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 N 30V/20V, MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 700mW（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC021N30
  仓库库存编号：FDC021N30CT-ND
  别名：FDC021N30CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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