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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
型号：
MTM761230LBF
仓库库存编号：
MTM761230LBFCT-ND
别名：MTM761230LBFCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3J307T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3J307T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3J307T(TE85LF)CT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A40PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A40PZTAGOSCT-ND
别名：NTLUS3A40PZTAGOSCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206AVSTZ
仓库库存编号：
ZVN4206AVSCT-ND
别名：ZVN4206AVSCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2106ASTZ
仓库库存编号：
ZVP2106ASCT-ND
别名：ZVP2106ASCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
型号：
RQ1E050RPTR
仓库库存编号：
RQ1E050RPCT-ND
别名：RQ1E050RPCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
型号：
TPCF8107,LF
仓库库存编号：
TPCF8107LFCT-ND
别名：TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 3.3A U-DFN2020
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP4047LFDE-7
仓库库存编号：
DMP4047LFDE-7DICT-ND
别名：DMP4047LFDE-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN6140L-7
仓库库存编号：
DMN6140L-7DICT-ND
别名：DMN6140L-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta）
型号：
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号：
DMP1045UFY4-7DICT-ND
别名：DMP1045UFY4-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
型号：
RQ1A070ZPTR
仓库库存编号：
RQ1A070ZPCT-ND
别名：RQ1A070ZPTRCT
RQ1A070ZPTRCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号：
TSM2301ACX RFGTR-ND
别名：TSM2301ACX RFGTR
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号：
TSM2301ACX RFGCT-ND
别名：TSM2301ACX RFGCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号：
TSM2301ACX RFGDKR-ND
别名：TSM2301ACX RFGDKR
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
ES6U2T2R
仓库库存编号：
ES6U2T2R-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTCG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTCG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 700mW（Ta） 迷你型3-G3-B
型号：
MTM131270BBF
仓库库存编号：
MTM131270BBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2A SC113DA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
型号：
FM6K62010L
仓库库存编号：
FM6K62010L-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
ES6U41T2R
仓库库存编号：
ES6U41T2R-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN3300U-7
仓库库存编号：
DMN3300U-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
ES6U42T2R
仓库库存编号：
ES6U42T2R-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS3113PT1G
仓库库存编号：
NTLJS3113PT1GOSCT-ND
别名：NTLJS3113PT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4114NTAG
仓库库存编号：
NTLJS4114NTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS2103PTBG
仓库库存编号：
NTLJS2103PTBGOSCT-ND
别名：NTLJS2103PTBGOSCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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