规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 110mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0120ASTOA
仓库库存编号：
ZVP0120ASTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 110mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0120ASTOB
仓库库存编号：
ZVP0120ASTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 110mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0120ASTZ
仓库库存编号：
ZVP0120ASTZ-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 450V 45mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0545ASTOA
仓库库存编号：
ZVP0545ASTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 450V 45mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0545ASTOB
仓库库存编号：
ZVP0545ASTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2106AS
仓库库存编号：
ZVP2106AS-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 280mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2106ASTOA
仓库库存编号：
ZVP2106ASTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 280mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2106ASTOB
仓库库存编号：
ZVP2106ASTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 230mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2110ASTOA
仓库库存编号：
ZVP2110ASTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 230mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2110ASTOB
仓库库存编号：
ZVP2110ASTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2120ASTOA
仓库库存编号：
ZVP2120ASTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP2120ASTOB
仓库库存编号：
ZVP2120ASTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.6A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4159NT1G
仓库库存编号：
NTLJS4159NT1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302ADS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2302ADS-T1-E3CT-ND
别名：SI2302ADS-T1-E3CT
SI2302ADST1E3
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2303BDS-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3441BT1G
仓库库存编号：
NTGS3441BT1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3443BT1G
仓库库存编号：
NTGS3443BT1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.4A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3447PT1G
仓库库存编号：
NTGS3447PT1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.6A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF3118NTAG
仓库库存编号：
NTLJF3118NTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.6A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF3118NTBG
仓库库存编号：
NTLJF3118NTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS2103PTAG
仓库库存编号：
NTLJS2103PTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS3113PTAG
仓库库存编号：
NTLJS3113PTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4149PTAG
仓库库存编号：
NTLJS4149PTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200V 120mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2120ASTZ
仓库库存编号：
ZVP2120ASCT-ND
别名：ZVP2120ASCT
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6109-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6109-H(TE85LFMCT-ND
别名：TPC6109-H(TE85LFMCT
TPC6109-HTE85LFCT
TPC6109-HTE85LFCT-ND
TPC6109HTE85LFM
规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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