规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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分立半导体产品
(67)
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(18)
6-TSSOP，SC-88，SOT-363(3)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(3)
SOT-23-6(2)
SC-89，SOT-490(6)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(10)
E-Line-3(23)
E-Line-3，成型引线(2)
重新选择
Diodes Incorporated(56)
Fairchild/ON Semiconductor(8)
On Semiconductor(2)
Vishay Siliconix(1)
重新选择
表面贴装(29)
通孔(38)
重新选择
-(5)
-55°C ~ 150°C（TJ）(62)
重新选择
-(60)
TrenchFET?(1)
PowerTrench?(6)
重新选择
剪切带（CT） (27)
散装 (10)
带卷（TR） (26)
带盒（TB） (4)
重新选择
在售(35)
过期(32)
重新选择
SOT-23-3(16)
SOT-23(2)
SC-70-6(1)
TO-92-3(13)
SOT-26(2)
SC-88/SC70-6/SOT-363(2)
SC-89-3(6)
E-Line（TO-92 兼容）(25)
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MOSFET（金属氧化物）(67)
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±20V(52)
±8V(4)
±12V(11)
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-(38)
1.4nC @ 4.5V(2)
8.6nC @ 4.5V(2)
3.5nC @ 4.5V(2)
4.8nC @ 4.5V(1)
3.9nC @ 10V(2)
3.4nC @ 4.5V(1)
4.1nC @ 10V(2)
1.1nC @ 4.5V(3)
4.8nC @ 10V(1)
6.4nC @ 10V(1)
5.9nC @ 10V(1)
4.5nC @ 4.5V(1)
2.9nC @ 4.5V(1)
3.5nC @ 10V(1)
3nC @ 4.5V(1)
3.2nC @ 10V(1)
2.9nC @ 10V(1)
3.1nC @ 4.5V(1)
1.8nC @ 5V(1)
10.2nC @ 10V(2)
2.93nC @ 4.5V(1)
重新选择
2 欧姆 @ 500mA，10V(2)
5 欧姆 @ 500mA，10V(7)
10 欧姆 @ 100mA，5V(3)
10 欧姆 @ 500mA，10V(4)
5 欧姆 @ 200mA，10V(3)
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V(2)
5 欧姆 @ 200mA，4.5V(1)
700 毫欧 @ 600mA，4.5V(1)
1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V(1)
600 毫欧 @ 610mA，4.5V(2)
100 毫欧 @ 2.4A，4.5V(1)
120 毫欧 @ 2.5A，10V(2)
180 毫欧 @ 930mA，4.5V(1)
220 毫欧 @ 910mA，10V(2)
80 欧姆 @ 50mA，10V(4)
350 毫欧 @ 600mA，10V(1)
210 毫欧 @ 1.4A，10V(1)
400 毫欧 @ 900mA，10V(2)
1 欧姆 @ 600mA，10V(2)
250 毫欧 @ 1.8A，10V(1)
14 欧姆 @ 200mA，10V(3)
700 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
25 欧姆 @ 100mA，10V(5)
300 毫欧 @ 600mA，4.5V(1)
500 毫欧 @ 830mA，4.5V(1)
8 欧姆 @ 150mA，4.5V(1)
120 毫欧 @ 4A，4.5V(1)
20 欧姆 @ 150mA，10V(4)
150 毫欧 @ 1.6A，10V(1)
150 毫欧 @ 1.5A，4.5V(1)
150 毫欧 @ 1.7A，4.5V(1)
250 欧姆 @ 5mA，10V(3)
230 毫欧 @ 800mA，4.5V(1)
重新选择
5V(3)
10V(30)
5V，10V(3)
4.5V，10V(13)
2.7V，4.5V(3)
1.8V，4.5V(6)
1.5V，4.5V(3)
2.5V，4.5V(3)
6V，10V(3)
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N 沟道(37)
P 沟道(30)
重新选择
100mA（Ta）(5)
150mA（Ta）(1)
2.1A（Ta）(1)
350mA（Ta）(1)
200mA（Ta）(5)
160mA（Ta）(3)
270mA（Ta）(10)
1.8A（Ta）(2)
1.5A（Ta）(3)
1.7A（Ta）(2)
2.7A（Ta）(2)
140mA（Ta）(4)
900mA（Ta）(4)
1.4A（Ta）(3)
1.9A（Ta）(1)
600mA（Ta）(4)
1.1A（Ta）(1)
1.2A（Ta）(1)
400mA（Ta）(2)
700mA（Ta）(1)
830mA（Ta）(1)
70mA（Ta）(4)
175mA（Ta）(3)
10mA（Ta）(3)
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-(1)
330pF @ 25V(2)
50pF @ 25V(10)
45pF @ 25V(5)
60pF @ 25V(3)
850pF @ 12V(2)
150pF @ 15V(2)
370pF @ 10V(1)
190pF @ 25V(2)
160pF @ 15V(1)
150pF @ 25V(2)
60pF @ 10V(6)
140pF @ 25V(1)
206pF @ 15V(1)
219pF @ 30V(2)
141pF @ 50V(2)
40pF @ 25V(7)
166pF @ 40V(1)
50pF @ 18V(3)
135pF @ 10V(1)
100pF @ 10V(2)
303pF @ 15V(1)
138pF @ 50V(1)
35pF @ 18V(4)
258pF @ 15V(1)
6.5pF @ 25V(3)
重新选择
-(67)
重新选择
4V @ 250μA(3)
2.5V @ 250μA(2)
1V @ 250μA(11)
2V @ 1mA(3)
1.5V @ 250μA(6)
3.5V @ 1mA(11)
3V @ 1mA(8)
700mV @ 250μA(3)
2.5V @ 1mA(3)
1.3V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(2)
1.2V @ 100μA(1)
2.4V @ 1mA(8)
2.4V @ 100μA(3)
400mV @ 100μA(1)
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625mW（Ta）(67)
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12V(2)
50V(3)
20V(12)
200V(9)
90V(3)
100V(11)
30V(9)
60V(18)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3151PT1G
仓库库存编号：
NTJS3151PT1GOSCT-ND
别名：NTJS3151PT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61P02FTA
仓库库存编号：
ZXM61P02FCT-ND
别名：ZXM61P02F
ZXM61P02FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN2B01FTA
仓库库存编号：
ZXMN2B01FCT-ND
别名：ZXMN2B01FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN3A01FTA
仓库库存编号：
ZXMN3A01FCT-ND
别名：ZXMN3A01FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61N02FTA
仓库库存编号：
ZXM61N02FCT-ND
别名：ZXM61N02F
ZXM61N02FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61N03FTA
仓库库存编号：
ZXM61N03FCT-ND
别名：ZXM61N03F
ZXM61N03FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY300NZ
仓库库存编号：
FDY300NZCT-ND
别名：FDY300NZCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXM61P03FTA
仓库库存编号：
ZXM61P03FCT-ND
别名：ZXM61P03F
ZXM61P03FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP3A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP3A13FCT-ND
别名：ZXMP3A13FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP6A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP6A13FCT-ND
别名：ZXMP6A13FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP6A13FQTA
仓库库存编号：
ZXMP6A13FQTADICT-ND
别名：ZXMP6A13FQTADICT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP10A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP10A13FCT-ND
别名：ZXMP10A13FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V SC-89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY302NZ
仓库库存编号：
FDY302NZCT-ND
别名：FDY302NZCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 830mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY102PZ
仓库库存编号：
FDY102PZCT-ND
别名：FDY102PZCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN2A01FTA
仓库库存编号：
ZXMN2A01FCT-ND
别名：ZXMN2A01FCT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
型号：
ZXM62P03E6TA
仓库库存编号：
ZXM62P03E6CT-ND
别名：ZXM62P03E6
ZXM62P03E6CT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS270
仓库库存编号：
BS270FS-ND
别名：BS270-ND
BS270FS
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3306A
仓库库存编号：
ZVP3306A-ND
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN10LP
仓库库存编号：
VN10LP-ND
别名：FVN10LP
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3310A
仓库库存编号：
ZVP3310A-ND
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3306A
仓库库存编号：
ZVN3306A-ND
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3310A
仓库库存编号：
ZVN3310A-ND
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SC-70-6
型号：
SI1403BDL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1403BDL-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN3320ASTOA
仓库库存编号：
ZVN3320ASTOACT-ND
别名：ZVN3320ASTOACT
规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
无铅
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