规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN3320ASTOA
仓库库存编号:
981-ZVN3320ASTOA-CHP
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS270_D74Z
仓库库存编号:
BS270_D74ZFSCT-ND
别名:BS270_D74ZFSCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 350mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY100PZ
仓库库存编号:
FDY100PZCT-ND
别名:FDY100PZCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY101PZ
仓库库存编号:
FDY101PZCT-ND
别名:FDY101PZCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN3320A
仓库库存编号:
ZVN3320A-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
型号:
FDY301NZ
仓库库存编号:
FDY301NZCT-ND
别名:FDY301NZCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 600mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23
型号:
ZXMP10A13FQTA
仓库库存编号:
ZXMP10A13FQTADICT-ND
别名:ZXMP10A13FQTADICT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN10A07FTA
仓库库存编号:
ZXMN10A07FCT-ND
别名:ZXMN10A07FCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN6A07FTA
仓库库存编号:
ZXMN6A07FCT-ND
别名:ZXMN6A07FCT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3B01FTA
仓库库存编号:
ZXMN3B01FCT-ND
别名:ZXMN3B01FTR
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3306ASTZ
仓库库存编号:
ZVN3306ASTZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3310ASTZ
仓库库存编号:
ZVN3310ASTZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 50V 175mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP4105A
仓库库存编号:
ZVP4105A-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3310ASTOB
仓库库存编号:
ZVN3310ASTOB-ND
别名:Q1030741
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS170PSTOA
仓库库存编号:
BS170PSTOA-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
BS170PSTOB
仓库库存编号:
BS170PSTOB-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
VN10LPSTOA
仓库库存编号:
VN10LPSTOACT-ND
别名:VN10LPSTOA-ND
VN10LPSTOACT
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
VN10LPSTOB
仓库库存编号:
VN10LPSTOB-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTOA
仓库库存编号:
ZVN1409ASTOA-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTOB
仓库库存编号:
ZVN1409ASTOB-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTZ
仓库库存编号:
ZVN1409ASTZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3306ASTOA
仓库库存编号:
ZVN3306ASTOA-ND
规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 270mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN3306ASTOB
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规格:功率耗散(最大值) 625mW(Ta),
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