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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2304BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2304BDS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2315BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2315BDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2307BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2307BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2307BDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG316P
  仓库库存编号：FDG316PCT-ND
  别名：FDG316PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2318DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2318DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2318DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2323DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2323DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2323DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2333DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2333DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4424A
  仓库库存编号：ZVN4424A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2304BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2304BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2304BDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2318DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2318DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2318DS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2306BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2306BDS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2306BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2306BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2306BDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2314EDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2314EDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2314EDS-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP4424A
  仓库库存编号：ZVP4424A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG330P
  仓库库存编号：FDG330PCT-ND
  别名：FDG330PCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA
  
  型号：CSD23203WT
  仓库库存编号：296-38615-1-ND
  别名：296-38615-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGTR-ND
  别名：TSM2312CX RFGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGCT-ND
  别名：TSM2312CX RFGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2312CX RFG
  仓库库存编号：TSM2312CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2312CX RFGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2343DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2343DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2343DS-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
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