规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(66)
分立半导体产品
(66)
筛选品牌
Diodes Incorporated (9)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (4)
Renesas Electronics America (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Texas Instruments (2)
Vishay Siliconix (30)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta),38A(Tc) 750mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C13NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C13NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C13NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2307BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2307BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2307BDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2323DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2323DS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG312P
仓库库存编号:
FDG312PCT-ND
别名:FDG312PCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 950mA(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG313N
仓库库存编号:
FDG313NFSCT-ND
别名:FDG313NFSCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG315N
仓库库存编号:
FDG315NCT-ND
别名:FDG315NCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2319DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
详细描述:表面贴装 P 沟道 122mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-5
型号:
ZXMP2120E5TA
仓库库存编号:
ZXMP2120E5CT-ND
别名:ZXMP2120E5CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 750mW(Ta) SC-73
型号:
PMT560ENEAX
仓库库存编号:
1727-2725-1-ND
别名:1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2319DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG332PZ
仓库库存编号:
FDG332PZCT-ND
别名:FDG332PZCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG328P
仓库库存编号:
FDG328PFSCT-ND
别名:FDG328PFSCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG311N
仓库库存编号:
FDG311NCT-ND
别名:FDG311NCT
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD25304W1015T
仓库库存编号:
296-38024-1-ND
别名:296-38024-1
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Ta),46A(Tc) 750mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C290NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C290NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.77A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2314EDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2314EDS-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 260mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4424ASTZ
仓库库存编号:
ZVN4424ASTZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 200mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP4424ASTZ
仓库库存编号:
ZVP4424ASTZ-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 25V 650mA(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG314P
仓库库存编号:
FDG314P-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 950mA(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG313N_D87Z
仓库库存编号:
FDG313N_D87Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.5A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG326P
仓库库存编号:
FDG326P-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 260mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4424ASTOA
仓库库存编号:
ZVN4424ASTOA-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 260mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4424ASTOB
仓库库存编号:
ZVN4424ASTOB-ND
规格:功率耗散(最大值) 750mW(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号