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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMG6968U-7
仓库库存编号：
DMG6968UDICT-ND
别名：DMG6968UDICT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NTF3055L108T1G
仓库库存编号：
NTF3055L108T1GOSCT-ND
别名：NTF3055L108T1GOS
NTF3055L108T1GOS-ND
NTF3055L108T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI9433BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI9433BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9433BDY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9435BDY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP4015SPS-13
仓库库存编号：
DMP4015SPS-13DICT-ND
别名：DMP4015SPS-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD024PBF
仓库库存编号：
IRLD024PBF-ND
别名：*IRLD024PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024PBF
仓库库存编号：
IRFD024PBF-ND
别名：*IRFD024PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6346TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6346TRPBFCT-ND
别名：IRLML6346TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6402TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6402PBFCT-ND
别名：*IRLML6402TRPBF
IRLML6402PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2246TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2246TRPBFCT-ND
别名：IRLML2246TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401PBFCT-ND
别名：*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6344TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6344TRPBFCT-ND
别名：IRLML6344TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML0100TRPBF
仓库库存编号：
IRLML0100TRPBFCT-ND
别名：IRLML0100TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23
型号：
DMN10H220L-7
仓库库存编号：
DMN10H220L-7DICT-ND
别名：DMN10H220L-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI4800BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4800BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4800BDY-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
型号：
NTF3055-100T1G
仓库库存编号：
NTF3055-100T1GOSCT-ND
别名：NTF3055-100T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP4015SPSQ-13
仓库库存编号：
DMP4015SPSQ-13DICT-ND
别名：DMP4015SPSQ-13DICT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN3135N8-G
仓库库存编号：
DN3135N8-GCT-ND
别名：DN3135N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN3145N8-G
仓库库存编号：
DN3145N8-GCT-ND
别名：DN3145N8-GCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110PBF
仓库库存编号：
IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110PBF
仓库库存编号：
IRFD9110PBF-ND
别名：*IRFD9110PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110PBF
仓库库存编号：
IRLD110PBF-ND
别名：*IRLD110PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014PBF
仓库库存编号：
IRFD014PBF-ND
别名：*IRFD014PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014PBF
仓库库存编号：
IRLD014PBF-ND
别名：*IRLD014PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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