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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名：IRLML6401GTRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD120PBF
仓库库存编号：
IRLD120PBF-ND
别名：*IRLD120PBF
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NVF3055L108T1G
仓库库存编号：
NVF3055L108T1GOSCT-ND
别名：NVF3055L108T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN10H220LQ-13
仓库库存编号：
DMN10H220LQ-13-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN10H220LQ-7
仓库库存编号：
DMN10H220LQ-7-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMG6968UQ-7
仓库库存编号：
DMG6968UQ-7DI-ND
别名：DMG6968UQ-7DI
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS5443T1G
仓库库存编号：
NTHS5443T1GOSTR-ND
别名：NTHS5443T1GOS
NTHS5443T1GOS-ND
NTHS5443T1GOSTR
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS5441T1G
仓库库存编号：
NTHS5441T1GOSTR-ND
别名：NTHS5441T1GOS
NTHS5441T1GOS-ND
NTHS5441T1GOSTR
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NVF3055-100T1G
仓库库存编号：
NVF3055-100T1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5404BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5404BDC-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5441BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5441BDC-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5443DC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5443DC-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5443DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5443DC-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7703EDN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7703EDN-T1-E3TR-ND
别名：SI7703EDN-T1-E3TR
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.3W（Ta） 8-SOIC
型号：
TN2640LG-G
仓库库存编号：
TN2640LG-G-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024
仓库库存编号：
IRFD024-ND
别名：*IRFD024
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110
仓库库存编号：
IRFD110-ND
别名：*IRFD110
IRFD111
IRFD112
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110
仓库库存编号：
IRFD9110-ND
别名：*IRFD9110
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9120
仓库库存编号：
IRFD9120-ND
别名：*IRFD9120
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120
仓库库存编号：
IRFD120-ND
别名：*IRFD120
IRFD121
IRFD122
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD120
仓库库存编号：
IRLD120-ND
别名：*IRLD120
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014
仓库库存编号：
IRLD014-ND
别名：*IRLD014
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD024
仓库库存编号：
IRLD024-ND
别名：*IRLD024
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110
仓库库存编号：
IRLD110-ND
别名：*IRLD110
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014
仓库库存编号：
IRFD014-ND
别名：*IRFD014
规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
含铅
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