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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 5.2A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5445BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5445BDC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.1A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5449DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5449DC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5461EDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5461EDC-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5461EDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5461EDC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5473DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5473DC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5475DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5475DC-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5475DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5475DC-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9434BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9434BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8656-TL-H
  仓库库存编号：ECH8656-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4412ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4412ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4412ADY-T1-E3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401TR
  仓库库存编号：IRLML6401CT-ND
  别名：*IRLML6401TR
  IRLML6401
  IRLML6401-ND
  IRLML6401CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6402TR
  仓库库存编号：IRLML6402CT-ND
  别名：*IRLML6402TR
  IRLML6402
  IRLML6402-ND
  IRLML6402CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1
  仓库库存编号：IRF7521D1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1TR
  仓库库存编号：IRF7521D1TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1PBF
  仓库库存编号：IRF7521D1PBF-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7521D1TRPBF-ND
  别名：SP001555506
  
  规格：功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）,
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