规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 175W(Tc) HiP247?
型号:
SCT20N120
仓库库存编号:
497-15170-ND
别名:497-15170
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP070AN06A0
仓库库存编号:
FDP070AN06A0-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB070AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDB070AN06A0_F085CT-ND
别名:FDB070AN06A0_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10S-33
仓库库存编号:
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB070AN06A0
仓库库存编号:
FDB070AN06A0CT-ND
别名:FDB070AN06A0CT
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 175W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQP120N06-06_GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) D3
型号:
APT25SM120S
仓库库存编号:
APT25SM120S-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10SL-26
仓库库存编号:
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名:IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名:IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 14A(Tc) 175W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NM50
仓库库存编号:
497-3259-5-ND
别名:497-3259-5
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
HRF3205
仓库库存编号:
HRF3205-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75337P3
仓库库存编号:
HUF75337P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75337S3S
仓库库存编号:
HUF75337S3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75337P3
仓库库存编号:
HUFA75337P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75337S3S
仓库库存编号:
HUFA75337S3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75337S3ST
仓库库存编号:
HUFA75337S3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
HUFA75337G3
仓库库存编号:
HUFA75337G3-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
APT25SM120B
仓库库存编号:
APT25SM120B-ND
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB47N10
仓库库存编号:
SPB47N10-ND
别名:SP000012327
SPB47N10T
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB47N10L
仓库库存编号:
SPB47N10L-ND
别名:SP000012078
SPB47N10LT
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI47N10
仓库库存编号:
SPI47N10-ND
别名:SP000013951
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI47N10L
仓库库存编号:
SPI47N10L-ND
别名:SP000013952
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP47N10
仓库库存编号:
SPP47N10-ND
别名:SP000012415
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP47N10L
仓库库存编号:
SPP47N10L-ND
别名:SP000012102
规格:功率耗散(最大值) 175W(Tc),
含铅
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