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• Transphorm
  GAN FET 650V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3212PS
  仓库库存编号：TPH3212PS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT4N60
  仓库库存编号：785-1187-5-ND
  别名：785-1187-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD5N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHD5N50D-GE3-ND
  别名：SIHD5N50D-GE3CT
  SIHD5N50D-GE3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R250CP
  IPP60R250CPAKSA1
  IPP60R250CPIN
  IPP60R250CPIN-ND
  IPP60R250CPXK
  SP000358136
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU4N60
  仓库库存编号：785-1522-5-ND
  别名：AOU4N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM230N06CP ROGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM230N06CP ROGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 34A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM230N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM230N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM230N06CP ROGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGTR
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGDKR
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 51.6A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 51.6A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR622DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR622DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR622DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60E-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R280C6
  IPI60R280C6-ND
  SP000687554
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R280E6
  仓库库存编号：IPW65R280E6-ND
  别名：IPW65R280E6FKSA1
  SP000795272
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR638DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR638DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR638DP-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R299CP
  IPP50R299CPIN
  IPP50R299CPIN-ND
  IPP50R299CPXK
  SP000680938
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 209A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 209A（Tc） 104W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRL7486MTRPBF
  仓库库存编号：IRL7486MTRPBFCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT5N50
  仓库库存编号：785-1173-5-ND
  别名：785-1173-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP5N50D-E3-ND
  别名：SIHP5N50D-E3CT
  SIHP5N50D-E3CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT7S65L
  仓库库存编号：785-1516-5-ND
  别名：AOT7S65L-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP08N80C3
  仓库库存编号：SPP08N80C3IN-ND
  别名：SP000013704
  SP000683156
  SPP08N80C3IN
  SPP08N80C3X
  SPP08N80C3XK
  SPP08N80C3XKSA1
  SPP08N80C3XTIN
  SPP08N80C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017062
  
  规格：功率耗散（最大值） 104W（Tc）,
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