规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名:IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.1A(Tc) 104W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名:SP000895216
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R280E6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R280E6ATMA1-ND
别名:SP000795274
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R280C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R280C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R280C6CT
IPB65R280C6CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R299CPXKSA1-ND
别名:IPA50R299CP
IPA50R299CP-ND
SP000236079
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R299CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R299CPHKSA1-ND
别名:SP000236070
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名:IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名:IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R280E6
仓库库存编号:
IPP65R280E6-ND
别名:IPP65R280E6XKSA1
SP000795268
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R280C6XKSA1-ND
别名:IPP65R280C6
IPP65R280C6-ND
SP000785058
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI65R280E6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R280E6XKSA1-ND
别名:SP000795270
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名:IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280E6
仓库库存编号:
IPW60R280E6-ND
别名:IPW60R280E6FKSA1
SP000797382
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R299CPFKSA1-ND
别名:IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R280C6FKSA1-ND
别名:IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 14.4A(Tc) 104W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP14N15
仓库库存编号:
FQP14N15-ND
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名:SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 104W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK12V60WLVQCT-ND
别名:TK12V60WLVQCT
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4N60_001
仓库库存编号:
AOD4N60_001-ND
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 104W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT5N50_001
仓库库存编号:
AOT5N50_001-ND
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名:IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R250CP
仓库库存编号:
IPW60R250CP-ND
别名:IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 104W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1825AL,115
仓库库存编号:
PH1825AL,115-ND
别名:934063226115
规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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