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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 250mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMP2240UWQ-7
  仓库库存编号：DMP2240UWQ-7-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 310mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75
  
  型号：2N7002PT,115
  仓库库存编号：568-5985-1-ND
  别名：568-5985-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 500mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1012X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1012X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1012X-T1-E3CT
  SI1012XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1013X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1013X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1013X-T1-E3CT
  SI1013XT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 190mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1021R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1021R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1021R-T1-E3CT
  SI1021RT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 330mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1022R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1022R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1022R-T1-E3CT
  SI1022RT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 140mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1031R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1031R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1031R-T1-E3CT
  SI1031RT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 140mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1032R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1032R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1032R-T1-E3CT
  SI1032RT1E3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1046R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1046R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1046R-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1046X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1046X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1046X-T1-GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1046R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1046R-T1-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 100MA CP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP
  
  型号：5LN01C-TB-H
  仓库库存编号：5LN01C-TB-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.1A
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-SPA
  
  型号：5LN01SP
  仓库库存编号：5LN01SP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 50V .07A
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 70mA（Ta） 250mW（Ta） 3-SPA
  
  型号：5LP01SP
  仓库库存编号：5LP01SP-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 50V .07A
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 70mA（Ta） 250mW（Ta） 3-SPA
  
  型号：5LP01SP-AC
  仓库库存编号：5LP01SP-AC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 100MA SPA
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-SPA
  
  型号：5LN01SP-AC
  仓库库存编号：5LN01SP-ACOSCT-ND
  别名：5LN01SP-ACOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS223PW L6327
  仓库库存编号：BSS223PWINCT-ND
  别名：BSS223PWINCT
  BSS223PWXTINCT
  BSS223PWXTINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SC-75
  
  型号：BSA223SP
  仓库库存编号：BSA223SPINCT-ND
  别名：BSA223SPINCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：2N7002PM,315
  仓库库存编号：2N7002PM,315-ND
  别名：934064133315
  
  规格：功率耗散（最大值） 250mW（Ta）,
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