规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tj） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF4156NT1G
仓库库存编号：
NTLJF4156NT1GOSCT-ND
别名：NTLJF4156NT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF3117PT1G
仓库库存编号：
NTLJF3117PT1GOSCT-ND
别名：NTLJF3117PT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302DDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2302DDS-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.18A（Ta） 710mW（Ta） 16-TSSOP
型号：
TPS1101PWR
仓库库存编号：
296-13384-1-ND
别名：296-13384-1
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302CDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2302CDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2302CDS-T1-E3CT
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2302CDS-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102LR2
仓库库存编号：
NTMSD2P102LR2OS-ND
别名：NTMSD2P102LR2OS
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD2P102LR2G
仓库库存编号：
NTMSD2P102LR2GOS-ND
别名：NTMSD2P102LR2GOS
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF3117PTAG
仓库库存编号：
NTLJF3117PTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5A（Tj） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF4156NTAG
仓库库存编号：
NTLJF4156NTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号：
NTLJD3182FZTAG-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号：
NTLJD3182FZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3
型号：
SI2311DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2311DS-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3
型号：
SI2311DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2311DS-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.9A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2321DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2321DS-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.9A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2321DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2321DS-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2331DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2331DS-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2331DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2331DS-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2341DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2341DS-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2341DS-T1-GE3
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SI2341DS-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 710mW（Ta）,
无铅
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