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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R3K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R3K0CECT
  IPD50R3K0CECT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R3K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEBKMA1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 18W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5C688NLT4G
  仓库库存编号：NVD5C688NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5C688NLT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 18W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS420EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS420EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS420EN-T1-GE3
  SQS420EN-T1-GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R3K3P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R3K3P7ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R3K3P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R3K3P7AKMA1-ND
  别名：SP001636448
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 18W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A10K3,S5Q
  仓库库存编号：TK8A10K3S5Q-ND
  别名：TK8A10K3,S5Q(M
  TK8A10K3,S5Q,M
  TK8A10K3S5Q
  TK8A10K3S5QM
  TK8A10K3S5QM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 18W（Tc）,
• 无铅
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