规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0652DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0652DPB-00#J5-ND
RJK0652DPB-00#J5TR
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1052DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1052DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK1052DPB-00#J5-ND
RJK1052DPB-00#J5TR
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1054DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1054DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK1054DPB-00#J5-ND
RJK1054DPB-00#J5TR
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 55W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2R4N50P
仓库库存编号:
IXTY2R4N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2N60P
仓库库存编号:
IXTY2N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2R4N50P
仓库库存编号:
IXTP2R4N50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2N60P
仓库库存编号:
IXTP2N60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NE06L
仓库库存编号:
STD30NE06L-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NE06LT4
仓库库存编号:
STD30NE06LT4-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8882
仓库库存编号:
FDU8882-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 13A(Ta),58A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8880
仓库库存编号:
FDU8880-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N40
仓库库存编号:
FQP3N40-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
HUF75309D3S
仓库库存编号:
HUF75309D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
HUF75309D3ST
仓库库存编号:
HUF75309D3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA75309D3
仓库库存编号:
HUFA75309D3-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75309D3S
仓库库存编号:
HUFA75309D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75309P3
仓库库存编号:
HUF75309P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.1A(Tc) 55W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N50
仓库库存编号:
FQP2N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75309P3
仓库库存编号:
HUFA75309P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF44N10
仓库库存编号:
FQPF44N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF27N25T
仓库库存编号:
FQPF27N25T-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60T
仓库库存编号:
FQPF12N60T-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF34N20
仓库库存编号:
FQPF34N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF34N20L
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FQPF34N20L-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60
仓库库存编号:
FQPF12N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 55W(Tc),
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