规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708PBF
仓库库存编号:
IRF3708PBF-ND
别名:*IRF3708PBF
SP001553964
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 87W(Tc) TO-220
型号:
TK3R1E04PL,S1X
仓库库存编号:
TK3R1E04PLS1X-ND
别名:TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 87W(Tc) TO-220
型号:
TK4R3E06PL,S1X
仓库库存编号:
TK4R3E06PLS1X-ND
别名:TK4R3E06PL,S1X(S
TK4R3E06PLS1X
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 10A(Tc) 87W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP10N20
仓库库存编号:
FQP10N20-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707S
仓库库存编号:
IRF3707S-ND
别名:*IRF3707S
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3704
仓库库存编号:
IRF3704-ND
别名:*IRF3704
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704L
仓库库存编号:
IRF3704L-ND
别名:*IRF3704L
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRL
仓库库存编号:
IRF3704STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRR
仓库库存编号:
IRF3704STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707
仓库库存编号:
IRF3707-ND
别名:*IRF3707
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRL
仓库库存编号:
IRF3707STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRR
仓库库存编号:
IRF3707STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708
仓库库存编号:
IRF3708-ND
别名:*IRF3708
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708S
仓库库存编号:
IRF3708S-ND
别名:*IRF3708S
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRL
仓库库存编号:
IRF3708STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRR
仓库库存编号:
IRF3708STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708
仓库库存编号:
IRFU3708-ND
别名:*IRFU3708
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3707
仓库库存编号:
IRFU3707-ND
别名:*IRFU3707
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3708L
仓库库存编号:
IRF3708L-ND
别名:*IRF3708L
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708
仓库库存编号:
IRFR3708-ND
别名:*IRFR3708
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707
仓库库存编号:
IRFR3707-ND
别名:*IRFR3707
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707TR
仓库库存编号:
IRFR3707TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 87W(Tc),
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IRFR3707TRL
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