规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TRPBF
仓库库存编号:
IRF6655TRPBFCT-ND
别名:IRF6655TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6626
仓库库存编号:
IRF6626CT-ND
别名:IRF6626CT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),106A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) 4-ICEPAK - B1 PAD(4.8x3.8)
型号:
NTMKB4895NT1G
仓库库存编号:
NTMKB4895NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 18A(Ta),81A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6636
仓库库存编号:
IRF6636CT-ND
别名:IRF6636CT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6610TR1
仓库库存编号:
IRF6610TR1CT-ND
别名:IRF6610TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),55A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6621TR1
仓库库存编号:
IRF6621TR1CT-ND
别名:IRF6621TR1CT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6610TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6610TR1PBFCT-ND
别名:IRF6610TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),55A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6621TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6621TR1PBFCT-ND
别名:IRF6621TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6626TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6626TR1PBFCT-ND
别名:IRF6626TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),57A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6631TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6631TR1PBFCT-ND
别名:IRF6631TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 18A(Ta),81A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6636TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6636TR1PBFCT-ND
别名:IRF6636TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名:IRF6645TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名:IRF6665TR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6721STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6721STR1PBFCT-ND
别名:IRF6721STR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),58A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6722STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6722STR1PBFCT-ND
别名:IRF6722STR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),95A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6713STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6713STR1PBFCT-ND
别名:IRF6713STR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),71A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF053N03LT G
仓库库存编号:
BSF053N03LT G-ND
别名:SP000597832
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),84A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6711STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6711STR1PBFCT-ND
别名:IRF6711STR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TR1
仓库库存编号:
IRF6655TR1-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665
仓库库存编号:
IRF6665-ND
别名:SP001554114
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1
仓库库存编号:
IRF6665TR1-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
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MOSFET N-CH 30V 14A SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF8327STR1PBF
仓库库存编号:
IRF8327STR1PBFCT-ND
别名:IRF8327STR1PBFCT
规格:功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),42W(Tc),
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