规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9Z24NSTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NS
仓库库存编号：
AUIRFZ24NS-ND
别名：SP001517468
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NS
仓库库存编号：
AUIRLZ24NS-ND
别名：SP001518210
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名：SP001522352
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NS
仓库库存编号：
IRF9Z24NS-ND
别名：*IRF9Z24NS
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NS
仓库库存编号：
IRLZ24NS-ND
别名：*IRLZ24NS
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ24NL
仓库库存编号：
IRFZ24NL-ND
别名：*IRFZ24NL
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ24NL
仓库库存编号：
IRLZ24NL-ND
别名：*IRLZ24NL
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRF9Z24NL
仓库库存编号：
IRF9Z24NL-ND
别名：*IRF9Z24NL
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRR
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ24NLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NLPBF-ND
别名：*IRFZ24NLPBF
SP001571902
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRF9Z24NLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24NLPBF-ND
别名：*IRF9Z24NLPBF
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ24NLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NLPBF-ND
别名：*IRLZ24NLPBF
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRFZ24NSTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
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MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），45W（Tc）,
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