规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3415STRLPBFCT-ND
别名:IRF3415STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFB59N10DPBF-ND
别名:*IRFB59N10DPBF
SP001560232
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1404LPBF
仓库库存编号:
IRF1404LPBF-ND
别名:*IRF1404LPBF
SP001576598
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFS59N10DPBF-ND
别名:*IRFS59N10DPBF
SP001571716
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3803STRLPBFCT-ND
别名:IRL3803STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1404STRLPBFCT-ND
别名:IRF1404STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2910STRLPBF
仓库库存编号:
IRL2910STRLPBFCT-ND
别名:IRL2910STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4710PBF
仓库库存编号:
IRFB4710PBF-ND
别名:*IRFB4710PBF
SP001556118
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名:IRF1407STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRLPBF
仓库库存编号:
IRL2505STRLPBFCT-ND
别名:IRL2505STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803VSPBF
仓库库存编号:
IRL3803VSPBF-ND
别名:SP001576506
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRLP-ND
别名:SP001557452
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1404STRLPBF
仓库库存编号:
IRL1404STRLPBFCT-ND
别名:IRL1404STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1404STRL
仓库库存编号:
AUIRF1404STRL-ND
别名:SP001517298
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRL1404STRL
仓库库存编号:
AUIRL1404STRL-ND
别名:SP001522830
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415S
仓库库存编号:
IRF3415S-ND
别名:*IRF3415S
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803S
仓库库存编号:
IRL3803S-ND
别名:*IRL3803S
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505S
仓库库存编号:
IRL2505S-ND
别名:*IRL2505S
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRL
仓库库存编号:
IRL3803STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
94-2110
仓库库存编号:
94-2110-ND
别名:*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1404L
仓库库存编号:
IRF1404L-ND
别名:*IRF1404L
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3415L
仓库库存编号:
IRF3415L-ND
别名:*IRF3415L
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL59N10D
仓库库存编号:
IRFSL59N10D-ND
别名:*IRFSL59N10D
规格:功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc),
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