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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF12N65
仓库库存编号:
AOWF12N65-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 14A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF14N50
仓库库存编号:
AOWF14N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11N70
仓库库存编号:
AOWF11N70-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11S60
仓库库存编号:
AOWF11S60-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 28W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMG7N65SCTI
仓库库存编号:
DMG7N65SCTI-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11S65
仓库库存编号:
785-1528-5-ND
别名:AOWF11S65-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF15S65
仓库库存编号:
785-1529-5-ND
别名:AOWF15S65-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF20S60
仓库库存编号:
AOWF20S60-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF25S65
仓库库存编号:
785-1530-5-ND
别名:AOWF25S65-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644604
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658376
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR014NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR014NTRL-ND
别名:SP001516046
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R500CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R500CEXKSA2-ND
别名:SP001217230
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名:SP001391618
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名:IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名:IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名:IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NF06
仓库库存编号:
497-4340-5-ND
别名:497-4340-5
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20NF06L
仓库库存编号:
STF20NF06L-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 500V 1.03A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1P50
仓库库存编号:
FQPF1P50-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.3A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8P10
仓库库存编号:
FQPF8P10-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.34A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 400V 1.34A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2P40
仓库库存编号:
FQPF2P40-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.6A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N60
仓库库存编号:
FQPF2N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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